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Ce dispositif est doté d’un four à bombardement électronique et de tous les éléments nécessaires à une analyse in situ par faisceau d’ions (détecteurs, goniomètre, cage de faraday, doigt tournant…). Ce dispositif permet d’implanter les échantillons de la température -150°C à 1400°C, de réaliser des cycles de recuits thermiques rapides des échantillons implantés, de mesurer en dynamique la désorption 2H ou 3He et de réaliser des profils en profondeur pour des échantillons d’épaisseur de l’ordre de 300µm.
Type d’analyse : Profil en profondeur de He ou D dans matériaux massifs
Matériaux : Céramiques du nucléaire, semi-conducteurs, métaux, verres….
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