IBIC (Ion Beam Implantation and Channeling)

Ce dispositif est une enceinte à vide équipée d’un goniomètre 5 axes qui permet de réaliser des analyses par techniques nucléaires (RBS et NRA) et d’orienter un monocristal en position de canalisation axiale ou planaire. Ce dispositif permet de positionner un ou plusieurs détecteurs avec une résolution angulaire de 1° et est doté d’un sas de transfert pour l’analyse rapide d’échantillons.

Type d’analyse : couches minces, localisation d’impuretés dans un réseau cristallin, implantation faible fluence

Matériaux : métaux, céramiques, semi-conducteurs, isolants…

Micro-Beam Line

L’optique ionique de cette voie a été optimisée afin d’obtenir des faisceaux de taille d’environ 30µm.

Ce dispositif mis en bout de ligne est équipé d’un porte échantillons à 5 positions piloté en X et Y, d’un détecteur de rayonnements X et d’un détecteur de rayonnements gamma pour mettre en œuvre les techniques nucléaires PIXE et PIGE.

Type d’analyse : Analyse multi-élémentaire dans matériaux massifs

Matériaux : géomatériaux, biomatériaux, matériaux industriels…

DIADDHEM (DIspositif d'Analyse de la Diffusion du Deutérium et de l'HElium dans les Matériaux

Ce dispositif est doté d’un four à bombardement électronique et de tous les éléments nécessaires à une analyse in situ par faisceau d’ions (détecteurs, goniomètre, cage de faraday, doigt tournant…). Ce dispositif permet d’implanter les échantillons de la température -150°C à 1400°C, de réaliser des cycles de recuits thermiques rapides des échantillons implantés, de mesurer en dynamique la désorption 2H ou 3He et de réaliser des profils en profondeur pour des échantillons d’épaisseur de l’ordre de 300µm.

Type d’analyse : Profil en profondeur de He ou D dans matériaux massifs

Matériaux : Céramiques du nucléaire, semi-conducteurs, métaux, verres….