Le dispositif DIHF est doté d'un four à bombardement électronique, d'un système de refroidissement comprenant deux mâchoires rétractables refroidies par de l'azote gazeux froid et d’un goniomètre (translations X-Y et rotation Y). Il permet de réaliser des implantations ou irradiations en basse ou haute température (-150°C à 1400°C) sur une surface de diamètre 20 mm.
Pour une température de -150°C à RT, les mâchoires sont en contact avec le porte-échantillon et les puissances respectives de chauffage et de refroidissement sont ajustées pour obtenir une température régulée à quelques degrés près. La température est mesurée par deux thermocouples fixés sur les mâchoires.
A haute température de 300 à 1400°C, la température est mesurée directement sur l'échantillon ou sur le porte-échantillon SiC par pyrométrie, selon l’émissivité du matériau à implanter ou à irradier.
Pour des taux de dpa très élevés (max 1 dpa/24h), le faisceau participe à l'échauffement de l'échantillon. La puissance du faisceau est télécommandée et modulée pour obtenir une température régulée de l'échantillon.
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