IBIC (Ion Beam Implantation and Channeling)

Ce dispositif permet de réaliser des implantations ioniques d’échantillons disposés sur un porte-échantillon non refroidi et transférable sans rupture du vide de l’enceinte.

Le porte-échantillon est fixé sur une tête goniométrique motorisée permettant d’éviter des implantations sur des monocristaux sans risque de canalisation.

Non équipé de refroidissement, la fluence implantée maximum est fixée à 1016 at.cm-2 avec un flux moyen de l’ordre de 1012 at.cm-2.s-1. Le faisceau est balayé en mode Lissajous sur une surface de 7 cm2.

ECLAIR (Experiment Chamber for Large Area Irradiation at Room temperature)

Ce dispositif est installé sur une ligne permettant des implantations sur des grandes surfaces, au maximum de l’ordre de 80 cm2. La forme de la collimation du faisceau incident est modulable. L’embout d’irradiation est de taille réduite afin d’obtenir en quelques minutes un bon vide.

Le porte-échantillon en cuivre est refroidi par de l’eau dont la température est régulée à 18°C. Le flux moyen maximum est de l’ordre de 5.1012 at.cm-2.s-1.

DIADDHEM (Dispositif d’Analyse de la diffusion du deutérium et de l’Hélium dans les Matériaux)

Le dispositif DIADDHEM permet de réaliser des implantations en température de -150 à 1400°C sur une surface maximum de 1 pouce de diamètre.

La température est mesurée avec une précision de quelques degrés, selon la gamme de température voulue, par thermocouple installé sur des pinces en cuivre rétractables ou soit par pyrométrie. Ces pinces permet de ramener l’échantillon à température ambiante plus rapidement pour pouvoir lancer une autre implantation.

L’enceinte est dotée d’un sas de transfert pour le changement d’échantillons sans rupture du vide. Le balayage est de type Lissajous avec une fréquence maximum de 10Hz.